NEWS CENTER
名稱:平板式可控硅的制作方法技術領域:本實用新型涉及一種平板式可控硅。背景技術:可控硅又稱晶間管,晶間管整流器具有耐壓高、容量大、
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅
eupec晶閘管,英飛凌晶閘管,infineon晶閘管,英飛凌可控硅
高電壓infineon英飛凌二極管D711N65T D911SH45Tinfineon模塊 英飛凌IGBT 英飛凌二極管 英飛凌可控硅 英飛凌整流橋infineon IGBT單管,EUPE
IXYS UK Westcode ltd 西碼提供行業內較全面的標準相位控制晶閘管(相控可控硅)。電壓范圍從600V到4500V的設備是可用的,使它們適用于電
1 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有陽極A1(T1),第二陽
驅動芯片1EDS20I12SV中應用了轉換速率控制方法,在IGBT開通過程的不同階段使用不同大小的柵極電流,靈活控制開通速度。這種方法將IGBT整個
特約代理,大量現貨庫存ABB、POSEICO、WESTCODE、IXYS、SEMIKRON、CATELEC、SanRex、MITSUBISHI、EUPEC、infineon、DYNEX、PROTON、POWERSE
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅
名稱:平板式可控硅的制作方法技術領域:本實用新型涉及一種平板式可控硅。背景技術:可控硅又稱晶間管,晶間管整流器具有耐壓高、容量大、
近期,為提高功率高達400kW逆變器的效率,賽米控推出了一款新IGBT驅動單元SKYPER 42LJ,該產品在保持完整功能的同時結合了數字信號一致性
其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊,如圖4所示。電壓等級1200V,電流等級1200A。IGBT5本身具有高工作結溫的特點,可以達到175℃。