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轉換速率控制IGBT開通方法實現原理
發布時間:2021-01-08 14:35:00 點擊次數:
驅動芯片1EDS20I12SV中應用了轉換速率控制方法,在IGBT開通過程的不同階段使用不同大小的柵極電流,靈活控制開通速度。這種方法將IGBT整個開通過程分為三個階段:預升壓(preboost)階段、開通(turn-on)階段和VCC2嵌位(VCC2 clamping)階段,如圖1所示。t0-t1階段為預升壓階段,在這個階段中使用較大的電流為柵極-發射極電容充電,使柵極電壓在135ns內從負值上升到略低于IGBT開通的柵極閾值電壓,即Vge
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